量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性

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【摘要】

：

通过测量1．55Mm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系，以及模拟能带结构、电场分布等特性，研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性．分析

【作者】

：

朱彬韩勤杨晓红

【机构】

：

中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2009年5期

【关键词】

：

共振腔增强型光电探测器高功率复合势垒高度 Resonant-cavity-enhanced photodetector High-power Rec

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通过测量1．55Mm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系，以及模拟能带结构、电场分布等特性，研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性．分析了光电流的产生机制，测量了1．064μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应，模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应．从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素．

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