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我们借助傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及光致激发谱(PLE),研究了SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源.谱分析表明,该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位,而与锗的氧化物紧密相关.PLE的结果证实它们来源于GeO色心Tn′→So的光学跃迁,给出的GeO电子态模型描述了载流子激发和复合的过程.