光荧光相关论文
Evolution of surface morphology and optical characteristics of 1.3-\mum In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots (QDs) grown by m......
基于顺序注射分析法、氨氮分光光度法和荧光分析法，研制了一套氨氮的顺序注射-荧光分光一体检测仪，包含注射泵上微型实验平台和分光......
该文研究了N,Er的联合掺杂对a-Si的作用.所有样品采用射频辅助磁控溅射方法制备.随着N掺杂浓度的增加,Er PL的热猝灭效应下降.但Er......
自Ikesue等人于1995年首次制备出透明陶瓷Nd：YAG激光材料以来，并实现激光输出后，透明激光材料引起了人们的极大兴趣，现已制备出很多种......
用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与......
介绍飞秒激光技术的进展、钛宝石飞秒激光放大技术及飞秒分辨相关测量技术.并介绍了飞秒分辨光荧光上转换和光克尔实验技术及其在......
利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过......
期刊
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光......
采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.......
文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析.在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子......
低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测......
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的In......
利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过......
期刊
通过电场诱导表面光电压谱确定外围缩合4个1,10-啡啉单元的氮杂酞菁为p型有机半导体,并对各个谱带进行合理的归属.结果发现,Soret......
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测......
我们借助傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及光致激发谱(PLE),研究了SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源.谱分析表明,该红外光......
在室温下，对单取代聚乙炔（PACz-1）和两种双取代聚乙炔[PACz-2（m=3）、PACz-2（m=9）]的荧光特性和电子结构进行了研究。每种聚乙炔的支链上有......
在18至300K的温度范围内，对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究。在室温时，这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的......
在室温下，对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究。这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光，其荧光光谱的主......
提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm......
日本名城大学开发了高效白光LED。此高效白光LED是由紫光LED与白光荧光材料组合而成的，与原来由蓝光LED和白光荧光材料组成的白光LE......
根据全国冶金物理测试信息网2007年度学术活动的安排，X光衍射、X光荧光技术委员会第10届学术研讨会于2007年11月16～20日在厦门召开。......
通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaN/GaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学......
(东华理工大学机械与电子工程学院，344000) 摘要：光荧光(Photoluminescence，PL)是材料吸收光子后的一种自发放射。由于光荧光光谱......
重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法，用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽......
本文详细研究了采用Cl2／H2刻蚀气体时，ICP刻蚀系统对InP／InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP／InGaAsP多量子阱结构，测量......
利用UHV／CVD系统，在一个相对较低的温度500℃下，研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系，此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状......
采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为......
采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点.通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进......
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算......
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的......
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１９９６年日本“稀土材料展望未来”研讨会简介应日本稀土类学会理事长足立吟也教授之邀，１９９６年１０月３０日参加了在东京由该会和日本金属矿业事业团联......
钻井公司大量使用金刚石复合片(PDC:Polycrystalline Diamond Compact)钻头破坏了钻井岩屑的结构,导致无法通过肉眼或显微镜等常规......
本文讨论半导体超晶格及量子阱导带和价带的量子化亚带或子能级之间的带间光跃迁过程。所讨论的光跃迁过程或光谱研究方法有吸收光......
本文介绍了一个基本参数法与经验系数法相结合的 X 射线荧光分析的数学方法,扼要叙述了方法的计算原理,给出该方法用于催化裂化催......
利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱......
期刊
采用低温光荧光谱测试方法，研究了ＭＢＥ生长的轻掺硅ＧａＡｓ材料的杂质特性，并结合Ｈａｌｌ测量结果，讨论了ＭＢＥ关键生长条件Ⅴ／Ⅲ束流比等对Ｓｉ在ＧａＡｓ中掺杂特性的影响......
采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅 (a_Si∶H(Er) )样品 .进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同......
