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采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜，选择C作为掺杂元素，得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜。经透射电镜分析可知，引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展，晶粒得到细化，β-FeSi2层稳定性提高。从微结构角度考虑，引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的。进一步进行光这吸收表征，发现C离子的引入对β-FeSi2层的E^dg值没有产生不良影响，讨论了E^dg值的影响因素，如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退炎温度等等