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为了得到温度和强度对高斯光束在串联光折变晶体回路中自偏转的影响结果，假设一束暗孤子光束和一束高斯光束分别入射到串联光折变晶体回路中的两块晶体上，利用数值计算方法分析了暗孤子的最大光强和所处晶体温度变化对与明孤子匹配的高斯光束自偏转特性的影响。结果表明，高斯光束的偏转程度随暗孤子最大光强增加而增大，随晶体温度的升高而减小。这些结果对光控光器件、温控光器件的工程实现具有重要的参考价值。