用俄歇能谱研究探测器制造过程中锑化铟的表面状况

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在制造红外光电二极管过程中,在每一工艺过程后,用俄歇能谱仪研究了锑化铟的表面。介绍一些从化学刻蚀、表面钝化和扩散处理得来的表面沾污和化学计量的数据。 In the manufacture of infrared photodiodes, the surface of indium antimonide was investigated by Auger spectroscopy after each process. Describe some of the surface contamination and stoichiometry data from chemical etching, surface passivation, and diffusion treatments.
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