铜互连及其相关工艺

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【摘要】

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介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺.ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程.ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年.铜互连和金属间低K

【作者】

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翁寿松

【机构】

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无锡市罗特电子有限公司

【出处】

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微纳电子技术

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

铜互连低K绝缘层化学机械抛光

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介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺.ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程.ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年.铜互连和金属间低K绝缘层可解决布线RC延迟问题,CMP可解决晶圆表面不平整问题.IC特征尺寸、铜互连层厚度、金属间低K绝缘层厚度和Cu/低K-CMP所用研磨膏粒子尺寸都已步入纳米级,从而进一步提高了高端IC的密度和速度.

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