【摘 要】
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利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO：Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO：Zr薄膜性能的影响。结果表明,Zr的掺杂促进了（400）晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜
【机 构】
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上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试重点实验室,东华大学理学院,中国科学院上海技术物理研究所
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利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO：Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO：Zr薄膜性能的影响。结果表明,Zr的掺杂促进了（400）晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITO和ITO：Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO：Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化。ITO：Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指
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