【摘 要】
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<正>本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程,详细比较了不同高压VD-MOS物理模型的优缺点。可以看出,在高压VDMOS物理模型中,对于半导体基本物理方程,通常是在合理近似的条件
【机 构】
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北方工业大学信息工程学院微电子学系,合肥工业大学电子科学与应用物理学院
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<正>本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程,详细比较了不同高压VD-MOS物理模型的优缺点。可以看出,在高压VDMOS物理模型中,对于半导体基本物理方程,通常是在合理近似的条件下用解析方法求解,不同的模型有着不同的近似方法和近似条件。建立高压VDMOS物理模型的一个重要目的是以此为基础建立高压VDMOS等效电路模型,所以高压VDMOS物理模型的好坏对功率集成电路设计时的仿真精度起着重要的作用。1引言高压VDMOS的物理模型是将该器件根据其所特有几何结构和物理特性,划分成若干个部分,对每一部分的物理机制分别进行研究,在合理的近似假设条件下,用解析方法求解半导体的基本物理方程,此时的半导体基本物理方程一般都是近似简化后的一维情况下的方程,从而建立器件的模型。因为物理模型
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