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利用Fan和Liang(Fan Z Y,Liang H Z 2019 Phys.Rev.D 100086016)研究一般高阶导数引力复杂度的方法,对临界中性Gauss-Bonnet-anti-de Sitter(Gauss-Bonnet-anti-de Sitter,AdS)黑洞的复杂度演化进行研究,并且将研究结果和一般中性Gauss-Bonnet-AdS黑洞的结果进行了比较.研究发现,二者的复杂度演化的整体规律是一致的,它们的主要区别在无量纲的临界时间上.对于五维的临界中性Gauss-Bonnet-Ad