【摘 要】
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目的:探究在高磁导率、高电导率介质影响下,H1型线圈在真实头部电导率分布模型中产生的感应电场分布发生的变化。方法:建立包含头皮组织和边缘系统的真实头部电导率分析模型
【机 构】
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中国医学科学院北京协和医学院生物医学工程研究所,中国医学科学院神经科学中心
【基金项目】
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中国医学科学院医学与健康创新工程重大协同创新项目(CAMS-I2M2016-I2M-1-004)
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目的:探究在高磁导率、高电导率介质影响下,H1型线圈在真实头部电导率分布模型中产生的感应电场分布发生的变化。方法:建立包含头皮组织和边缘系统的真实头部电导率分析模型、H1型线圈模型,并分别在H1型线圈前额回路部分和底座部分建立高导磁块和高导电块模型。运用有限元方法进行H1型线圈颅内感应电场分布仿真分析。结果:增加高导磁块模型后,头皮和边缘系统处的感应电场强度峰值分别增加了30.28%和22.73%,头皮处的聚焦体积减小了40.39%,表现出更好的刺激强度和聚焦性。增加高导电块模型后,头皮和边缘系统的感应电
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