H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

来源 :海南大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:cqhy2009
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以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al2O3、SiO2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果表明薄膜晶相为纤锌矿结构、呈c轴择优取向;Scherrer公式计算发现增加H2量,可以减小薄膜的平均晶粒尺寸;H2流量对薄膜内应力影响较大.此外,还采用四探针测试仪、紫外—可见分光光度计(UV-Vis)等对薄膜的光电性能进行了表征.当Ar流量为70 s
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