【摘 要】
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本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p~+/n~-、n~-/n~-样片;对
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系 陕西西安 710049,陕西西安 710049,陕西西安 710049
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本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p~+/n~-、n~-/n~-样片;对键合的微观结构、键合强度、杂质分布及电接触特性进行了检测。
In this paper, Si / Si direct bonding process for the preparation of p ~ + / n ~ -, n ~ - / n ~ - structure principle and method. Through experiments, an effective surface cleaning - Si / Si bonding process at high temperature was worked out; p ~ + / n ~ -, n ~ - / n ~ Structure, bonding strength, impurity distribution and electrical contact characteristics were tested.
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