【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术,通过改变O2∶N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光（PL）特性。观察到370～380nm、390～405nm附近的2个荧光峰。结果表明,随
【基金项目】
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安徽省自然科学基金资助项目（03044703）, 安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金资助项目（2007C002107D）
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采用射频磁控溅射技术,通过改变O2∶N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光（PL）特性。观察到370～380nm、390～405nm附近的2个荧光峰。结果表明,随着薄膜中N掺杂量的不同,荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化。当Ar∶O2∶N2为15∶7∶8时,薄膜中N含量最多,分别在374nm、391nm处出现了发光峰且发光强度最佳,此时薄膜已明显表现出p型ZnO薄膜的特征。
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