ZnO掺杂相关论文
以醋酸锌为原料制备ZnO溶胶,将ZnO作为制备纳米α-Al2O3粉体的籽晶,制备出不同ZnO掺杂浓度的纳米氧化铝样品.XRD分析结果表明:ZnO......
甲烷作为天然气的主要成分,是全球第二大破坏性温室气体,其温室效应是CO2的20多倍。近年来,天然气汽车得到不断推广和普及,但未完......
压电铁电材料作为功能器件开发重要的组成部分,已成功应用到换能器、传感器和铁电存储器等不同领域。无铅材料因其绿色友好型成为......
基于胶体量子点(Colloidal quantum dots,QDs)发光材料的量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)是显示领域的......
采用ZnO掺杂和与ZnO直接混合两种方式分别制备10 wt%BaZr0.9Y0.1O2.95-90 wt%BaCe0.86Y0.1Zn0.04O2.91(BZY-BCYZn)和10wt%BaZr0.9Y......
近年来，由于现有半导体存储器的技术缺陷和其物理极限的限制，开发各种新型非挥发性存储器成为全球研究热点。其中，电致阻变存储器(RRA......
随着光电产业的蓬勃发展和光电产品的广泛应用，透明导电薄膜的研究受到学术界和业界越来越多的重视，透明导电薄膜的透光性能和导电性......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文概述了ZnO金属元素和非金属元素的掺杂，制备出薄膜、粉末或者纳米棒，分别从XRD、吸收光谱和光致发光等方面进行了表征。......
利用企业的电子陶瓷工艺制备了ZnO掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5Ti O3无铅压电陶瓷,研究了ZnO掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观......
为了降低PZT压电陶瓷的烧结温度，研究了ZnO掺杂对Ba、Fe改性的PSN-PZT陶瓷的烧结温度和压电特性的影响。通过XRD和SEM测试手段，分析......
采用化学共沉淀法结合正丁醇共沸蒸馏处理前驱体合成了ZnO掺杂纳米CeO2颗粒，通过XRD，DSC／TG，IR，TEM，原子吸收光谱以及紫外透过率分析等方......
采用固相反应法制备（Mg0.95-xZnxCa0.05）TiO3介质陶瓷。研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响。结果表明，ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相......
采用固相反应法制备了ZnO、Sm2O3共掺杂Ba0.2Sr0.8TiO3陶瓷样品，利用x射线衍射方法及介电谱测量方法对样品的结构和介电性能进行了......
透明导电氧化物薄膜被应用于众多领域,氧化锌基透明导电薄膜是替代氧化铟锡(ITO)薄膜的绝佳材料,可以降低材料成本。ZnO薄膜可以通......
紫外探测技术是一项新型军民两用技术,在空间通讯、污染监测、导弹羽焰探测以及生物医学领域都有着广泛的应用。相比于传统的商用......
以凹凸棒土作载体,硫酸氧钛、硫酸锌及碳酸铵为原料,采用液相合成法制备负载纳米ZnO-TiO2凹凸棒土(ATP/ZnO-TiO2)复合粉体,借助XRD......
采用固相烧结工艺制备了钙钛矿结构的(K0.5Na0.5)NbO3+xwt%ZnO(x=0,0.5,1.0,2.0)无铅压电陶瓷。研究了ZnO掺杂对(K0.5Na0.5)NbO3陶......
基于纳米材料SnO2的气敏元件对大多数的挥发性气体具有敏感性,以SnO2 为基料制备了旁热式异丙醇气敏元件.对比了纯SnO2气体元件和......
期刊
自旋电子器件由于具有体积小,速度快,非易失性等优点,可以极大提高信息的处理速度。稀磁半导体作为自旋电子器件中的关键材料,目前......
近来，由于Ⅱ-Ⅵ族半导体可以作为宿主掺入杂质成为发光材料，因此，很多技术被用于合成Ⅱ-Ⅵ族半导体并掺入诸如过渡族离子、稀土离子以......
采用传统的固相法和普通的烧结方法，制备了不同比例的ZnO掺杂的（Na0.48K0.48Li0.04）（Nb0.86Ta0.1Sb0.04）O3无铅压电陶瓷，通过改变烧结温......
