【摘 要】
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碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能
【机 构】
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山东大学,广州南砂晶圆半导体技术有限公司
【基金项目】
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广东省重点领域研发计划(2019B010126001)。
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碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC材料及器件在雷达、5G通信、电动汽车等领域获得了广泛应用,对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。在以SiC为基础的大功率半导体器件产业链中,高质量的SiC单晶制备及其产业化是最为
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大庆石油管理局特车总厂大力实施产业结构调整,坚持科技与销售双轮驱动,推动改革与发展同步前行,企业发展呈现了勃勃生机。
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1983年,生于河南。2006年.毕业于河南师范大学。同年考入南京艺术学院攻读工笔花鸟硕士研究生学位,师从江宏伟先生。
1983, was born in Henan. 2006. Graduated from Henan
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