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倒装焊微电子封装各组件在封装过程中的残余应力应变分布对封装性能的影响近来受到众多学者的关注。初步研究表明，倒装焊微电子封装的结构参数对其封装残余应力应变有着十分重要的影响。有鉴于此，采用有限元分析及结构参数概率设计相结合的方法，研究了倒装焊微电子封装关键结构参数对SnPb焊点Von Mises等效应力峰值的影响情况，构造出了结构参数对等效应力的响应面，并用蒙特卡罗随机模拟方法，研究了这些参数对SnPb焊点Von Mises等效应力峰值的概率分布及其对结构参数的敏感度影响情况。