【摘 要】
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1、绪言在半导体集成电路中,随着器件的高性能化和尺寸微细化,图形曝光技术已由可见紫外光法发展到电子束和软X射线法,并正趋于实用化。一般集成电路用硅基片晶体生长技术的
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1、绪言在半导体集成电路中,随着器件的高性能化和尺寸微细化,图形曝光技术已由可见紫外光法发展到电子束和软X射线法,并正趋于实用化。一般集成电路用硅基片晶体生长技术的进步显著,就是φ4″～φ5″大直径也能得到微小缺陷量很小的高质量晶体。为了有效地利
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