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GaNHEMT的出现，使得有关电子设备性能的大幅度提升成为了可能。为了尽快实现该器件的工程化应用，需要对器件的可靠性进行相关研究。基于阿伦尼乌斯模型对某型号GaNHEMT进行了加速寿命试验，结果显示，该功率管MTrF〉2×lO6h（85℃，长脉宽，大占空比）。相关结果可为用户开展GaN功率管的可靠性设计等相关研究提供数据支持。