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用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品.测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱.发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系.我们提出一种较简便的分析解谱方法,分析所测得的各个椭偏光谱,半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例.所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较,结果基本上是一致的.研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分