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在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs／InPBi／InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况，分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明：激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势；随Al、Bi组分的增大，激子结合能也逐渐增大；外加电场较小时对激子结合能的影响很小，外加电场较大时破坏了激子效应；激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs／InPBi／InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。