激子结合能相关论文
近些年来,钙钛矿材料在诸如太阳能电池,光发射二极管,光探测器,激光器等领域取得了重大的研究进展。其中,二维钙钛矿因其稳定性好,......
有机-无机杂化钙钛矿由于其高载流子迁移率、高光致发光量子产率（PLQY）、可调节带隙和窄发射宽度等特性而成为高性能发光二极管（LED）的......
在超薄和延展性较好的光电设备应用中，二维过渡金属硫族化合物(TMDs)已经展现出了巨大的发展潜力,他们不仅拥有可发射性的亮态激子，......
有机铅卤钙钛矿CH3NH3PbX3（X = C1,Br,I）因为在太阳能电池领域的优秀表现而引起广泛的关注。在短短几年的研究时间内（2009-2016）,钙钛......
有机-无机杂化钙钛矿材料具有分子尺度上调节能带结构的特点,在光、电、磁等领域均表现出了优异的性能.通过简单的旋涂方法,成功的......
本文利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了约束在GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态。详细讨论了激......
本文选取三量子阱模型，采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响. 首先，简要综述了关于多层材料量......
宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性。ZnO在高自由激子结合能(60meV)、......
采用密度泛函理论和含时密度泛函理论方法计算了2个吩噻嗪类染料及其吸附到TiO2上后分子的基态和激发态光物理性质与热力学参数.结......
利用变分原理及有效质量近似,研究In组份对InxGa1-xN/GaN量子阱光学性质的影响,结果表明,考虑内电场的影响后,电子与空穴复合率减......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结......
在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs／InPBi／InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况，分析了外加电场和磁......
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃......
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结......
采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿（001）取向GaN／AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应......
随着新实验现象和新型光电子器件应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注.此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使......
利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了Al含量对局域在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响．结果表......
在有效质量近似条件下,利用变分法计算了量子点高度对GaN/AlGaN量子点光学性质的影响。研究了激子结合能、量子点发光波长、电子-......
全无机溴铅铯钙钛矿材料因其优异的光电特性,成为当前材料和器件领域研究的热点,尤其是在太阳能电池、发光二极管、光电探测器等方......
近年来,有机无机杂化钙钛矿材料凭借其独特的结构与出色的电学性能,在太阳能电池方面得到了广泛的研究。其中的代表,甲胺铅碘MAPb ......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了 InxGa1- xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点......
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的 GaN/AlxGa1- xN量子点中的激子......
利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了约束在GaN／AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点......
有机半导体作为一种有前途的且用途广泛的光电材料而备受关注。为了提高有机半导体光电器件的能量转换效率,人们建立了很多研究半......
染料敏化太阳能电池(DSSC)由于具有柔性、容易制备、环境友好、低成本和高效率等优点,并且作为一种有前景的可解决“太瓦挑战”的......
钙钛矿半导体具有较强的光吸收能力、较大的载流子迁移率以及广泛可调节的直接带隙,在光电器件应用方面有着巨大的潜力。钙钛矿量......
本文采用变分法计算非对称耦合双量子阱GaAs/AlxGa1-xAs中的激子结合能,考虑三元混晶效应及尺寸和压力效应.首先,简要介绍半导体量......
随着分子束外延及金属有机化学气相沉淀等外延生长技术的发展,人们可以制造出各种人工设计的低维半导体异质结构,它们具有特殊的光......
随着量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域。激子对描述半导体的光学以及电学特性具有重要意义,并且激子效应对半导体中......
低维半导体材料在新型半导体器件开发上具有广阔的应用前景，近年来一直是半导体科学技术领域的研究热点。从理论上研究低维半导体材......
本文选取三量子阱模型,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-x As有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响.首先,简要综述了关于多层材料量......
采用密度泛函理论和含时密度泛函理论方法计算了2个吩噻嗪类染料及其吸附到TiO2上后分子的基态和激发态光物理性质与热力学参数.结......
