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研究了H+注入对SRBI2TA2O9(SBT)铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响,并与含氢气氛退火作了比较,进而研究了O+注入对SBT铁电薄膜电学性质的影响.发现室温O+注入,由于较严重的晶格损伤的存在,SBT铁电薄膜的电学性能退化严重,而热靶O+注入有助于克服氢对SBT铁电薄膜的影响.
O~+注入SRBI_2TA_2O_9铁电薄膜的研究
【摘 要】
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研究了H+注入对SRBI2TA2O9(SBT)铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响,并与含氢气氛退火作了比较,进而研究了O+注入对SBT铁电薄膜电学性质的影响.发现室温O+注入,由于较严重的
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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1999年3期
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