遏止（Quenching）及其在分析RTD逻辑电路中的应用

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yaoyaoyy1188

【摘要】

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在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了"遏止(Quenching)"的概念.并进一步以此概念说明了RTD/HEMT电路

【作者】

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郭维廉牛萍娟李晓云刘宏伟李鸿强

【机构】

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天津工业大学信息与通讯学院,天津工业大学信息与通讯学院

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

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遏止共振隧穿二极管共振隧穿二极管逻辑电路多值逻辑单-双稳转换逻辑单元 quenching RTD RTD logic circuit MVL

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在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了"遏止(Quenching)"的概念.并进一步以此概念说明了RTD/HEMT电路中,单-双稳转换逻辑单元(MOBILE)、多值逻辑(MVL)文字(Literal)逻辑门、三态反相器(Ternary inverter)等逻辑单元的工作原理.通过此种分析,证实了"遏止"概念是解释和分析复杂RTD电路原理的强有力工具.以上论证也适用于由其它负阻器件构成的逻辑电

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