【摘 要】
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半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小，不可避免地导致短沟道效应，从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管，利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈
【机 构】
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南京邮电大学电子科学与工程学院,射频集成与组装技术国家与地方联合工程实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（61574081）,江苏省自然科学基金项目（BK20141431）,江苏省工业支撑计划项目（BE2013130）.
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半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小，不可避免地导致短沟道效应，从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管，利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究，并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理。研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化，改善器件的亚阈值特性，降低漏电流和衬底电流，提高击穿电压，从而抑制短沟道效应，提高器件的可靠性。
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