Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算

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【摘要】

：

根据密度泛函理论(DFT),采用'总体能量-平面波'超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材

【作者】

：

张富春邓周虎阎军锋王雪文张志勇

【机构】

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西北大学,西北大学

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

ZNO 密度泛函电子结构掺杂光吸收边 Burstein-Moss移动 ZnO density function theory electronic s

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根据密度泛函理论(DFT),采用'总体能量-平面波'超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.

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