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^4He和^(12)C离子Rutherford背散射的Geant4模拟
^4He和^(12)C离子Rutherford背散射的Geant4模拟
来源 :吉林大学学报:理学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:onlylisong
【摘 要】
:
利用Geant4程序模拟270,500keV4 He和12 C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱(RBS),并讨论材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.结果表明,能量较大的12C离
【作 者】
:
王振超
马玉刚
杨海芳
牛璐莹
周庆
赵广义
宋明珠
【机 构】
:
吉林大学物理学院,唐山市人民医院,中国科学院等离子体物理研究所
【出 处】
:
吉林大学学报:理学版
【发表日期】
:
2013年4期
【关键词】
:
GEANT4
重离子
RBS分析
薄膜
Geant4 heavy-ion RBS analysis thin films
【基金项目】
:
国家自然科学基金(批准号:J1103202)
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利用Geant4程序模拟270,500keV4 He和12 C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱(RBS),并讨论材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.结果表明,能量较大的12C离子具有较好的质量分辨率.
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