【摘 要】
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扩散阻挡层的选材是Cu互连工艺研究重点之一,目前在研的阻挡层中,由两种难熔金属组成的二元合金因具有与Si反应温度高、电阻率低、结晶温度高等优点,成为一类极具应用潜力的
【机 构】
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西安文理学院陕西省表面工程与再制造重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
【基金项目】
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陕西省科技计划项目(2020JQ-889,2018JQ5173),陕西省教育厅科技项目(19JS056),西安市科技计划项目(2019KJWL24),西安文理学院大创项目和科研团队(DC2019049、XAWLKYTD013)。
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扩散阻挡层的选材是Cu互连工艺研究重点之一,目前在研的阻挡层中,由两种难熔金属组成的二元合金因具有与Si反应温度高、电阻率低、结晶温度高等优点,成为一类极具应用潜力的阻挡层材料。本文通过磁控共溅射技术在p型Si单晶基底上沉积ZrRu薄膜。利用X射线光电子能谱、X射线衍射、扫描电子显微镜和四点探针测试等表征手段对ZrRu合金膜的化学特性、物相结构、微观形貌和电学性能进行表征分析。研究结果表明,随Ru溅射功率增加,Ru原子百分比增加,薄膜的沉积速率由7.74 nm·min-1增加到17.
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