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综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
高k栅介质材料的研究进展
【摘 要】
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综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
【机 构】
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重庆科技学院冶金与材料工程学院
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2007年02期
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