界面SiO2层对SiC/Al电子封装材料热膨胀系数的影响

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用无压浸渗的方法制备了高体积分数的SiC/Al复合材料。通过改变SiC预制样品的烧结工艺来改变SiC和Al的界面状况,分析了SiC表面SiO2层的变化对SiC/Al复合材料的热膨胀系数的影响。用无压浸渗的方法可得到常温下热膨胀系数为(5.68—7.12)×10^-6/K的SiC/Al复合材料。颗粒大小一定时,复合材料的热膨胀系数随着SiO2界面层的厚度增加而减小。当界面SiO2层厚度从45nm增加到2100nm时,常温下热膨胀系数从7.12×10^-6/K减小到5.68×10
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