【摘 要】
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采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试.实验结
【基金项目】
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国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划);江西省跨世纪人才培养基金
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采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试.实验结果表明,缓冲层的Ga 源不同对GaN单晶膜质量影响很大;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层,外延层不连续;以TMGa 为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源,在此得到室温载流子浓度为4.5×1017cm-3 ,迁移率为198cm2/V*s的电学性能较好的GaN单晶膜.研究结果表明:使用TEGa为外延层Ga源生长GaN,能有效地抑制不期望的蓝带的出现.
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