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近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱结构;(2)调制掺杂采用了平面掺杂结构;(3)制作了0.1～0.25μm的短栅。本文将对平面掺杂的结构、优点及其进展给以评介。
平面掺杂的HEMT结构
【摘 要】
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近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱结构;(2)调制掺杂采用了平面掺杂结构;(3)制
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年10期
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