纳米印章模板的制备及应用

来源 :通化师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fine_yhy

【摘要】

：

利用PECVD生长技术制备a-Si/SiNx多层膜,利用解理技术获得干净平滑的截面.利用选择性化学腐蚀技术在横截面上制备出浮雕型一维纳米模板.通过控制多层膜子层的生长时间,得到线

【作者】

：

王相和杨翠萍张丽娟

【机构】

：

通化师范学院物理系

【出处】

：

通化师范学院学报

【发表日期】

：

2010年8期

【关键词】

：

纳米印章模板多层膜生长技术硅基光栅 Nanoimprint Mold Multi-layer film deposition technique sil

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利用PECVD生长技术制备a-Si/SiNx多层膜,利用解理技术获得干净平滑的截面.利用选择性化学腐蚀技术在横截面上制备出浮雕型一维纳米模板.通过控制多层膜子层的生长时间,得到线条宽度和槽状宽度均最小为20纳米的等间距模板,品质优于电子束制备的模板.以这种模板为基础,利用印章技术制作了硅基光栅.

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