具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管

来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zmaozhao

【摘要】

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研究了有机薄膜晶体管器件。器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的。实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷（OTS）修饰SiO2可以有效地

【作者】

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白钰刘向陈玲朱文清蒋雪茵张志林

【机构】

：

上海大学材料学院,上海大学新型显示教育部重点实验室

【出处】

：

光电子.激光

【发表日期】

：

2008年7期

【关键词】

：

有机薄膜晶体管双绝缘层双层电极迁移率 organic thin film transistor double layer electrode double

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研究了有机薄膜晶体管器件。器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的。实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷（OTS）修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能。器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104。同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构。实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids。结果显示具有OTS/S

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