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报道了用新的正向栅控二级管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究，理论分析表明：由于正向栅控二级管界面态R-G电流峰的特征，该峰的幅度正比于热载流子应力诱生的界面陷阱的大小，而该峰的位置的移动正比于热载流子应力诱生的界面电荷密度。实验结果表明：前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱，同样产生出很大的界面电荷，对于逐步上升的累积应力时间，抽取出来的诱生界面陷阱和界面电荷密度呈相近似的幂指数方式增加，指数分别为0.7和0.85。