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本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。
N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的变温光伏测定研究
【摘 要】
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本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。
【机 构】
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厦门大学物理系,厦门大学物理系厦门361005,厦门361005
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1992年3期
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