【摘 要】
：
针对硅在KOH中的各向异性腐蚀提出了一个新的物理模型。此模型从微观角度出发，根据实际的腐蚀化学反应过程确定了若干微观状态，提出了反映腐蚀特性的若干微观参数。将腐蚀温度
【机 构】
：
东南大学微电子中心,北京大学微电子所
【基金项目】
：
国家重点基础研究计划资助项目 (编号 :G19990 330 10 9)~~
论文部分内容阅读
针对硅在KOH中的各向异性腐蚀提出了一个新的物理模型。此模型从微观角度出发，根据实际的腐蚀化学反应过程确定了若干微观状态，提出了反映腐蚀特性的若干微观参数。将腐蚀温度、浓度等对腐蚀速度的影响也反映了进去。计算结果与实验结果进行了对比，表明此模型在解释硅在KOH中各向异性腐蚀特性等方面具有一定的合理性。
其他文献
寻求一种有效的教学方式，使教师可以教得更少，学生可以学得更多，一直是教育者的梦想。新课程改革明确了教学面向全体学生的思想，提出学生的发展是英语课程的出发点和归宿。因此，探
研究了CeO2作为高K（高介电常数）栅介质薄膜的制备工艺，深入分析了衬底温度，淀积速率，氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的
本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因。结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发
随着近几年人们生活质量的提升,对房屋的需求量越来越大,这就导致了房屋建筑量剧增且规模也不容小觑。但是在房屋建筑施工过程中最严重的问题就是房屋渗漏,这种问题的出现会
我国现代化发展的不断进步,也带动建筑工程施工进程的不断前行。然而在建筑工程施工工序的发展中,难免会出现抗地震结构等方面的技术问题,这就要求我们加强对建筑工程抗地震
用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶，其电阻率为10^7Ω.cm量级，电子陷阱浓度为10^8cm^-3量级，且能将注入其中的部分电荷储存起来，分析认为，晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是
利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于10nm的超薄SiO2层，通过傅里叶红外光谱（FTIR），X射线光电子谱（XPS），透射电子显微镜（TEM），椭圆偏振法和电流电压（I－V），电容电压（C－V）测量对生成
随着我国经济的快速发展,我国交通运输行业的规模和数量也逐渐扩大,而交通运输行业的发展离不开公路工程的高质量建设,公路建设过程中,路基和路面的病害是常常发生的,那么预
在机械工程中齿轮占据着至关重要的地位,在机械设施中发挥着重要作用,同时,在机械运转中对齿轮的磨损消耗也比较大,为此,如何提高齿轮转动使用效果、延长其使用寿命成为众人
本刊讯 山西省中医药研究院研究员、著名中西医结合专家、《山西中医》杂志编委会顾问贾得道同志,于2 0 0 4年4月12日在太原不幸病逝,享年89岁。贾得道同志,194 6年毕业于山