【摘 要】
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用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜.ZnO薄膜的质量通过X-射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征.氮化的作用主要表现在生长ZnO
【机 构】
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中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院激发态物理重点实验室
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，中国科学院"百人计划"，中国科学院知识创新工程项目
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用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜.ZnO薄膜的质量通过X-射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征.氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱.这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法.并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索.
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