【摘 要】
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通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分
【机 构】
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云南北方奥雷德光电科技股份有限公司,昆明物理研究所,
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通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m~2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m~2到20000 cd/m~2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm~2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m~2和500 cd/m~2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
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