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对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。在假定条件成立时，推导出器件二维模型导通电阻自限制公式，得出了具有埋层结构的集成大功率器件结构其比导通电阻是随着面积不断增大的结论。通过实验，证实了该结论预测趋势的正确性。该结论对类似集成化大功率器件结构设计具有一定的指导作用。
具有埋层的大功率集成器件二维简化模型分析
【摘 要】
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对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。在假定条件成立时，推导出器件二维模型导通电阻自限制公式，得出了具有埋层结构的集成大功率器件结构其比导通电
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,模拟集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2008年1期
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