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采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌（DEZn）为锌源，N2O作为氧和氮源，H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征，结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入，明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术，可以进一步提高其带边峰的强度，抑制带内发光。XRD测量表明，生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的P型ZnO薄膜是很困难的，而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质，在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的P型ZnO薄膜提供一种