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基于单极自旋扩散方程,建立了(110)-晶向GaAs/(Al,Ga) As量子阱中非平衡态下的自旋扩散模型,并采用有限元方法对模型进行了数值模拟.模拟结果与实验数据的对比显示,在较低激发功率下理论与实验整体符合的很好;而在较高的激发密度,理论和实验分布在短时延处有一定的差异,可能与动态的热载流子效应有关.