【摘 要】
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通过精确的测量发现，分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ） 生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ Ｚｎ Ｓ１ － ｘ Ｔｅ ｘ）（０ ≤ｘ ≤１） 半导体单晶薄膜中 Ｚｎ 和 Ｔｅ 修正的俄歇参数α′随 ｘ 增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现 Ｔｅ ４ｄ３／２
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通过精确的测量发现，分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ） 生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ Ｚｎ Ｓ１ － ｘ Ｔｅ ｘ）（０ ≤ｘ ≤１） 半导体单晶薄膜中 Ｚｎ 和 Ｔｅ 修正的俄歇参数α′随 ｘ 增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现 Ｔｅ ４ｄ３／２ 和 Ｔｅ ４ｄ５／２ 光电子谱峰间距随 ｘ 的变化也有类似的规律
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