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采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯B、C及Mg单质靶材为溅射源,573K下在单晶Si（001）表面成功制备硬质非晶态BCMg薄膜.背散射扫描电镜（SEM）图显示薄膜成分均匀,与基体Si片结合良好.X射线光电子能谱（XPS）分析表明薄膜中存在B-B、B-C、C-Mg等键态.X射线衍射仪（XRD）及高分辨透射电镜（HRTEM）测试结果表明薄膜为非晶态结构.某单质靶材溅射功率提高时,沉积速率及相应元素在薄膜中的含量随之上升.随着薄膜中B含量增加,薄膜中B-B共价键数量增多,BCMg薄膜硬度与断裂韧性均上升.B含量