MOVPE法生长HgCdTe／CdZnTe结构薄膜研究

来源 :红河学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaokun787

【摘要】

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碲锌镉(CdZnTe)衬底是生长红外焦平面列阵(IRFPAs)所用碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料的首选衬底.本文讨论在单晶的碲锌镉衬底上,用MOVPE法生长一层碲锌镉过渡层,可以避免单晶碲锌镉

【作者】

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杨玉林张宏伟杨宇

【机构】

：

云南大学材料系,云南大学材料系,红河学院物理系

【出处】

：

红河学院学报

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

碲镉汞碲锌镉红外焦平面列阵 MOVPE HgCdTeCdZnTeIRFPAs MOVPE

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碲锌镉(CdZnTe)衬底是生长红外焦平面列阵(IRFPAs)所用碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料的首选衬底.本文讨论在单晶的碲锌镉衬底上,用MOVPE法生长一层碲锌镉过渡层,可以避免单晶碲锌镉衬底的一些杂质和缺陷延伸到碲镉汞薄膜材料中而影响到碲镉汞薄膜的结构质量.实验表明,有碲锌镉过渡层的碲镉汞薄膜的结构质量有了较大改善.

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