将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅（Cz-Si,Czochralski silicon）棒，从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片，采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池（PERC,passivated emitter and rear cell），然后对其进行了暗退火（200℃，30 min）→第1次光衰（45℃，1 sun,12 h）→电注入复原（175℃，18 A,30 min）→第2次光衰（45℃，1 sun,12 h）处理，并对其在处理过程中的性能变化进行了跟踪测试。结果表明，所制备的PERC电池的光衰（LID,light induced degradation）和复原（regeneration）由B-O缺陷的光衰和复原反应起主导作用，而Fe-B对的分解起次要作用。第1次光衰时7.03%～9.69%的效率相对降级率，由B-O缺陷引起的光衰和Fe-B对的分解共同造成；而第2次光衰时0.43%～0.81%的效率相对降级率，由Fe-B对的分解单独造成。电注入复原能够完全钝化PERC电池内部的B-O缺陷，且钝化后的B-O缺陷在第2次光衰条件下是稳定的。由硅棒中部硅片制成的PERC电池具有更高的效率和开路电压以及更低的相对衰减率。此外，光衰和复原处理只影响PERC电池在中长波段的光谱响应。