【摘 要】
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磷是半导体硅材料的一种敏感的 N 型施主杂质,对 SiHCl_3中痕量 P 的测定,通常为化学光谱法,但方法灵敏度和分析速度难以满足工艺需要。峨嵋半导体材研究所叶与禄高级工程师
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磷是半导体硅材料的一种敏感的 N 型施主杂质,对 SiHCl_3中痕量 P 的测定,通常为化学光谱法,但方法灵敏度和分析速度难以满足工艺需要。峨嵋半导体材研究所叶与禄高级工程师1968年对一台日本大仓—4000型仪器将FID自行改装为AFID,首次尝试用气相色谱法对半导体硅制备工艺中可能存在的pH3,PC13,POCI:的检测。
Phosphorus is a sensitive N-type donor impurity of semiconductor silicon material. The determination of trace P in SiHCl_3 is usually chemical spectroscopy, but the sensitivity and speed of the method are difficult to meet the needs of the process. Emei Institute of semiconductor materials and senior engineer Ye Lu in 1968, a Japanese Okura -4000 type instrument FID converted to AFID, the first attempt to use gas chromatography for semiconductor silicon preparation process may exist in the pH3, PC13, POCI: The test.
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