【摘 要】
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采用容性耦合匹配结构,基于0.1μm GaAs pH EMT工艺设计了一个Ka波段三级宽带功率放大器MMIC.为了辅助宽带功放设计,提出了一组公式来分析这一匹配结构.在展示的功放中,此结
【机 构】
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电子科技大学电子工程学院,湖南师范大学物理与信息科学学院,
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采用容性耦合匹配结构,基于0.1μm GaAs pH EMT工艺设计了一个Ka波段三级宽带功率放大器MMIC.为了辅助宽带功放设计,提出了一组公式来分析这一匹配结构.在展示的功放中,此结构同时实现了宽频带和高效率.功放处于饱和状态时,测得在32~40 GHz频率范围内的PAE大于30%,功率增益超过15.5dB,功率约20 dB m.这一结果证明了这种设计方法的有效性.
In this paper, a Ka-band three-stage wideband power amplifier (MMIC) based on a 0.1μm GaAs pH EMT process is designed by using a capacitive coupling matching structure.In order to assist the design of a broadband power amplifier, a set of formulas are proposed to analyze this matching structure.In the amplifier shown, The structure achieves both wideband and high efficiency at the same time.When the amplifier is saturated, the PAE is more than 30%, the power gain is more than 15.5dB and the power is about 20 dBm in the frequency range from 32 to 40 GHz.This result proves The effectiveness of this design method.
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