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采用RF反应磁控溅射沉积ZnO薄膜，沉积完成后对薄膜进行氧气氛下的原位退火处理。薄膜的结晶状况和化学成分分别采用XRD和XPS进行分析。结果表明，该薄膜为结晶性能良好的纳米晶薄膜，具有高度的C轴取向性。薄膜的主要成分为ZnO，不存在金属态Zn。采用文中的工艺方法可获得较高质量的纳米晶ZnO薄膜。