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为提高碳／碳复合材料抗氧化性能，以甲基三氯硅烷（MTS）为先驱体，利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在碳／碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层，通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理。结果表明，沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响，在1100～1250℃均可成功得到SiCMoSi2涂层，1100~C所得涂层结构疏松多孔；1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多，表层为致密SiC涂层；1150~1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC